BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35

BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0317€
50-99
0.0268€
100-249
0.0235€
250+
0.0198€
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Cantidad en inventario: 7651
Mín.: 10

BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (norma JEDEC): -. VRRM: 250V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.25A. Corriente directa (AV): 0.25A. Corriente directa [A]: 0.25A. IFSM: 1A. Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Acondicionamiento: Ammo Pack. Cantidad por caja: 1. Capacitancia: 1.5pF. Cj: 5pF. Configuración de diodo: independiente. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 100nA..15uA. Corriente de fuga inversa: 100nA / 200V. Corriente de pulso Máx.: 1A. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Embalaje: Ammo Pack. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Estructura semiconductora: diodo. Familia de componentes: Diodo de silicio de pequeña señal. Función: Diodos de uso general. Ifsm [A]: 1A. Información: -. MSL: -. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminales: 2. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Serie: BAV. Temperatura máxima: +200°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 200V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión umbral: 1V, 1.1V. Tiempo de reacción: 50ns. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 50ns. Tipo de diodo: diodo de conmutación. Tipo de montaje: THT. Tipo de semiconductor: diodo. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 50 ns. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 1V. Voltaje directo (máx.): <1.0V / 0.1A. Voltaje inverso máximo: 250V. [V]: 1V @ 100mA. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:15

Documentación técnica (PDF)
BAV21
47 parámetros
Vivienda
DO-35 ( SOD27 )
VRRM
250V
Corriente rectificada promedio por diodo
0.25A
Corriente directa (AV)
0.25A
Corriente directa [A]
0.25A
IFSM
1A
Vivienda (según ficha técnica)
DO-35
Acondicionamiento
Ammo Pack
Cantidad por caja
1
Capacitancia
1.5pF
Cj
5pF
Configuración de diodo
independiente
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente de fuga al cerrar Ir [A]
100nA..15uA
Corriente de fuga inversa
100nA / 200V
Corriente de pulso Máx.
1A
Diodo Trr (Mín.)
50 ns
Embalaje
Ammo Pack
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Estructura semiconductora
diodo
Familia de componentes
Diodo de silicio de pequeña señal
Función
Diodos de uso general
Ifsm [A]
1A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C
Número de terminales
2
Número de terminales
2
RoHS
Serie
BAV
Temperatura máxima
+200°C.
Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]
200V
Tensión directa Vf (mín.)
1V
Tensión umbral Vf (máx)
1.25V
Tensión umbral
1V, 1.1V
Tiempo de reacción
50ns
Tiempo de recuperación inversa (máx.)
50ns
Tipo de diodo
diodo de conmutación
Tipo de montaje
THT
Tipo de semiconductor
diodo
Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]
50 ns
Voltaje de conducción (voltaje umbral)
1V
Voltaje directo (máx.)
<1.0V / 0.1A
Voltaje inverso máximo
250V
[V]
1V @ 100mA
Producto original del fabricante
Vishay
Cantidad mínima
10