BAV70, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 215mA, 0.215A, 450mA, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Corriente directa (AV): 215mA. Corriente directa [A]: 0.215A. IFSM: 450mA. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Cantidad por caja: 2. Cj: 1.5pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 150nA..50uA. Corriente de pulso Máx.: 2A. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Estructura dieléctrica: cátodo común. Familia de componentes: Diodo dual de pequeña señal, Montaje en superficie (SMD). Función: Velocidad de conmutación rápida. Ifsm [A]: 1A. Marcado en la caja: A4W. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: Serigrafía/código SMD A4p_A4t_A4w. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Potencia: 350mW. Propiedades del semiconductor: conmutación súper rápida. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 30nA. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--4A t=1us, 1A t=1ms. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 70V. Tensión directa Vf (mín.): 715mV. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión umbral: 1V. Tiempo de reacción: 4ns, 6ns. Tipo de diodo: diodo de conmutación. Tipo de semiconductor: diodo. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 1.25V. Voltaje inverso máximo: 100V, 70V. [V]: 0.855V @ 10mA. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:15