BAV99, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 215mA, 500A, 0.12A, 0.215A, SOT-23 ( TO236 ), 70V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Corriente directa (AV): 215mA. IFSM: 500A. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.12A. Corriente directa [A]: 0.215A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 70V. Cantidad por caja: 2. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente de conducción: 0.3A. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 30nA..50uA. Corriente de fuga inversa: 30nA / 25V. Corriente de pulso Máx.: 2A. Diodo Trr (Mín.): 6us. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Estructura semiconductora: 2 diodos conectados en serie. Familia de componentes: Diodo dual de pequeña señal, Montaje en superficie (SMD). Ifsm [A]: 2A. Información: -. Marcado en la caja: A7w. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: diodo de silicio dual. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Potencia: 350mW. Propiedades del semiconductor: conmutación súper rápida. RoHS: sí. Serie: BAV. Spec info: IFSM--t=1.0us 2A, t=1.0ms 1A. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 85V. Tensión directa Vf (mín.): 750mV. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tiempo de reacción: 4ns. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 4ns. Tipo de diodo: diodo de conmutación. Tipo de montaje: SMD. Tipo de semiconductor: diodo. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 1.25V. Voltaje directo (máx.): <1.0V / 0.05A. Voltaje inverso máximo: 85V. [V]: 0.855V @ 10mA. Producto original del fabricante: Nexperia. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:15