BAW56

BAW56. Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Cj: 2pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: ánodo común. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafía/código SMD A1s. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 0.15uA. Marcado en la caja: A1s. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.715V. Producto original del fabricante Yangjie Electronic Technology. Cantidad en stock actualizada el 12/08/2025, 14:08.