BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 1A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Cantidad por caja: 2. Cj: 2pF. Corriente de pulso Máx.: 2A. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Estructura dieléctrica: ánodo común. Función: Ultra High Speed Switching. Marcado en la caja: A1s. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD A1s. Número de terminales: 3. Potencia: 350mW. Propiedades del semiconductor: conmutación súper rápida. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 0.15uA. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Temperatura: +150°C. Tensión directa Vf (mín.): 0.715V. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión umbral: 1V. Tiempo de reacción: 4ns, 6ns. Tipo de diodo: diodo de conmutación. Tipo de semiconductor: diodo. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 1.25V. Voltaje inverso máximo: 70V, 85V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:01