BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V. Vivienda: SOT-323. Vivienda (norma JEDEC): -. Corriente directa (AV): 200mA. Corriente directa [A]: 0.15A. IFSM: 1A. Vivienda (según ficha técnica): SOT323. VRRM: 85V. Cantidad por caja: 2. Cj: 2pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 30nA..150uA. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Estructura dieléctrica: ánodo común. Familia de componentes: Diodo dual de pequeña señal, Montaje en superficie (SMD). Función: Ultra High Speed Switching. Ifsm [A]: 4A. Marcado en la caja: A1. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD A1. Número de terminales: 2. Número de terminales: 3. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 0.15uA. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 90V. Tensión directa Vf (mín.): 0.715V. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:01