BY500-200
| Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.20€ | 0.24€ |
| 10 - 24 | 0.19€ | 0.23€ |
| 25 - 49 | 0.18€ | 0.22€ |
| 50 - 99 | 0.17€ | 0.21€ |
| 100 - 249 | 0.16€ | 0.19€ |
| 250 - 366 | 0.14€ | 0.17€ |
| Cantidad | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.20€ | 0.24€ |
| 10 - 24 | 0.19€ | 0.23€ |
| 25 - 49 | 0.18€ | 0.22€ |
| 50 - 99 | 0.17€ | 0.21€ |
| 100 - 249 | 0.16€ | 0.19€ |
| 250 - 366 | 0.14€ | 0.17€ |
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BY500-200. Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50°C...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 08:25.
Productos equivalentes :
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Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 (...
Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
BY500-800
Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 (...
Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): 220A. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): 220A. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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