Corriente directa (AV)
5A
Corriente rectificada promedio por diodo
5A
Vivienda (según ficha técnica)
DO-201 ( 7.5x5.4mm )
Configuración de diodo
independiente
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente de conducción
20A
Corriente de fuga al cerrar Ir [A]
5uA
Corriente de fuga inversa
<5uA / 800V
Corriente de pulso Máx.
200A
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Estructura semiconductora
diodo
Familia de componentes
Diodo rectificador rápido (tr<500ns)
Función
diodo rectificador rápido de silicio
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Propiedades del semiconductor
Conmutación de alta velocidad
Resonancia magnética (máx.)
10uA
Spec info
Ifsm--200App t=10mS
Temperatura de funcionamiento
-50...+175°C
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]
800V
Tensión directa Vf (mín.)
1.3V
Tensión umbral Vf (máx)
1.3V
Tiempo de recuperación inversa (máx.)
200ns
Tipo de diodo
diodo rectificador
Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]
200 ns
Voltaje de conducción (voltaje umbral)
1.3V
Voltaje directo (máx.)
<1.3V / 5A
Voltaje inverso máximo
800V
Producto original del fabricante
Diotec Semiconductor