BYT30P-1000, 30A, 200A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1000V. Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 200A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: pieza metálica conectada al cátodo. Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. RoHS: sí. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.8V. Tensión umbral Vf (máx): 1.9V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 08:57