Estructura dieléctrica: bidireccional. Material semiconductor: silicio. Tensión de ruptura: 200V. Pd (disipación de potencia, máx.): 5W, max 600W 1ms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Ubr [V] a Ibr [A]: 210V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 171V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Número de terminales: 2. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Función: diodo transil, protección contra sobretensión