Diodos Zener

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMD 0603. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 4.7V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado en superficie (SMD). Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 2V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 78 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +125°C

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMD 0603. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado en superficie (SMD). Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 0.8V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +125°C

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMD 0603. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.6V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado en superficie (SMD). Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 1V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 40 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +125°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 10V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SI-Z SMD. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Material semiconductor: silicio. Nota: SOD-80. Nota: SI-Z SMD. Paso: 3.4x1.6mm. VRRM: 11V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 12V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Fecha de producción: 2014/50. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. VRRM: 12V

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: miniMELF. Vivienda (norma JEDEC): SOD80. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 13V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado en superficie (SMD). Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 13V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SI-Z SMD. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. VRRM: 13V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 18V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 22V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SMD-Z. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. VRRM: 22V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 24V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Fecha de producción: 2015/05. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. VRRM: 24V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 2.4V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 2.7V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Nota: SI-Z SMD. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. VRRM: 2.7V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 30 v. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Nota: SI-Z SMD. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Voltaje zener: 36V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Nota: SI-Z SMD. Dimensiones: 3.4x1.6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 3V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Nota: SI-Z SMD. Resonancia magnética (máx.): 40uA. Resonancia magnética (mín.): 4uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 3.3V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 40uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 3.6V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Fecha de producción: 2012/48. Resonancia magnética (máx.): 40uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 3.9V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. VRRM: 3.9V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Material semiconductor: silicio. Nota: SOD-80. Nota: SI-Z SMD. Paso: 3.4x1.6mm. VRRM: 43V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 4.3V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Nota: SI-Z SMD. Resonancia magnética (máx.): 20uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 4.7V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Fecha de producción: 2014/45. Nota: SI-Z SMD. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): 0.5uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 5.6V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SI-Z SMD. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 6.8V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Fecha de producción: 2014/44. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. VRRM: 6.8V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 7.5V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. VRRM: 7.5V