Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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DSEI12-12A

DSEI12-12A
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1 - 4 2.33€ 2.82€
5 - 9 2.21€ 2.67€
10 - 24 2.10€ 2.54€
25 - 49 1.98€ 2.40€
50 - 68 2.35€ 2.84€
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DSEI12-12A. Corriente directa (AV): 11A. IFSM: 75A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Pd (disipación de potencia, máx.): 78W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.6V. Tensión directa Vf (mín.): 2.2A. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 14:25.

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DSEP12-12A

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Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 90A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC...
DSEP12-12A
Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 90A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo recuperación suave . Resonancia magnética (máx.): 0.5mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 95W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.75V. Tensión directa Vf (mín.): 1.79V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C
DSEP12-12A
Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 90A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo recuperación suave . Resonancia magnética (máx.): 0.5mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 95W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.75V. Tensión directa Vf (mín.): 1.79V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C
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