DSEI120-12A, 100A, 600A, TO-247, TO-247AD, 1200V

DSEI120-12A, 100A, 600A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
17.80€
5-9
15.77€
10-29
14.46€
30-59
13.52€
60+
12.26€
Cantidad en inventario: 24

DSEI120-12A, 100A, 600A, TO-247, TO-247AD, 1200V. Corriente directa (AV): 100A. IFSM: 600A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Recuperación rápida. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 357W. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 1.5mA. RoHS: sí. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C. Tecnología: Diodo epitaxial (FRED). Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.55V. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Unidad de acondicionamiento: 30. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 11:43

Documentación técnica (PDF)
DSEI120-12A
24 parámetros
Corriente directa (AV)
100A
IFSM
600A
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AD
VRRM
1200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Cantidad por caja
1
Diodo Trr (Mín.)
40 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
Recuperación rápida
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
357W
Resonancia magnética (máx.)
20mA
Resonancia magnética (mín.)
1.5mA
RoHS
Spec info
540Ap t=10ms, TVJ=150°C
Tecnología
Diodo epitaxial (FRED)
Temperatura de funcionamiento
-40...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
1.55V
Tensión umbral Vf (máx)
1.8V
Unidad de acondicionamiento
30
Producto original del fabricante
IXYS