DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V

DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V

Cantidad
Precio unitario
1-1
70.80€
2-3
67.78€
4-7
65.19€
8-15
63.19€
16+
59.56€
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DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V. Corriente directa (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 2. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: diodo dual de recuperación rápida. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: tornillo. Nota: 900App/10ms, 45°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Resonancia magnética (máx.): 15mA. Resonancia magnética (mín.): 1.5mA. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Tecnología: Diodo epitaxial. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.61V. Tensión umbral Vf (máx): 1.87V. Tiempo de entrega: KB. Unidad de acondicionamiento: 10. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 11:43

Documentación técnica (PDF)
DSEI2X101-12A
24 parámetros
Corriente directa (AV)
2x91A
IFSM
900A
Vivienda
ISOTOP ( SOT227B )
Vivienda (según ficha técnica)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
1200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Cantidad por caja
2
Diodo Trr (Mín.)
40 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
diodo dual de recuperación rápida
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
tornillo
Nota
900App/10ms, 45°C
Pd (disipación de potencia, máx.)
250W
Resonancia magnética (máx.)
15mA
Resonancia magnética (mín.)
1.5mA
Spec info
810Ap t=10ms, TVJ=150°C
Tecnología
Diodo epitaxial
Temperatura de funcionamiento
-40...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
1.61V
Tensión umbral Vf (máx)
1.87V
Tiempo de entrega
KB
Unidad de acondicionamiento
10
Producto original del fabricante
IXYS