DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V

DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V

Cantidad
Precio unitario
1-1
55.43€
2-3
52.02€
4-5
49.33€
6-9
47.02€
10+
43.88€
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Cantidad en inventario: 2

DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (norma JEDEC): -. Corriente directa [A]: 2x123A. Corriente directa (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 2. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 1mA..20mA. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Familia de componentes: Diodo rectificador de silicio. Función: diodo dual de recuperación rápida. Ifsm [A]: 1200A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: tornillo. Número de terminales: 4. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 357W. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. RoHS: sí. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Tecnología: Diodo epitaxial. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 200V. Tensión directa Vf (mín.): 0.89V. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Unidad de acondicionamiento: 10. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 50 ns. [V]: 1.1V @ 120A. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 11:43

Documentación técnica (PDF)
DSEI2X121-02A
34 parámetros
Vivienda
ISOTOP ( SOT227B )
Corriente directa [A]
2x123A
Corriente directa (AV)
2x123A
IFSM
1200A
Vivienda (según ficha técnica)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Cantidad por caja
2
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente de fuga al cerrar Ir [A]
1mA..20mA
Diodo Trr (Mín.)
35 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Familia de componentes
Diodo rectificador de silicio
Función
diodo dual de recuperación rápida
Ifsm [A]
1200A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
tornillo
Número de terminales
4
Número de terminales
4
Pd (disipación de potencia, máx.)
357W
Resonancia magnética (máx.)
20mA
Resonancia magnética (mín.)
1mA
RoHS
Spec info
1080Ap t=10ms, TVJ=150°C
Tecnología
Diodo epitaxial
Temperatura de funcionamiento
-40...+150°C
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]
200V
Tensión directa Vf (mín.)
0.89V
Tensión umbral Vf (máx)
1.1V
Unidad de acondicionamiento
10
Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]
50 ns
[V]
1.1V @ 120A
Producto original del fabricante
IXYS