DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V

DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
5.77€
5-14
5.10€
15-29
4.63€
30-59
4.29€
60+
3.77€
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Cantidad en inventario: 66

DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AD. Corriente directa [A]: 26A. Corriente directa (AV): 28A. IFSM: 200A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 0.75mA..7mA. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Familia de componentes: Diodo rectificador rápido (tr<500ns). Función: Recuperación rápida. Ifsm [A]: 210A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 138W. RoHS: sí. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Tecnología: Diodo epitaxial. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1.2 kV. Tensión directa Vf (mín.): 2.2V. Tensión umbral Vf (máx): 2.55V. Unidad de acondicionamiento: 30. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 60 ns. [V]: 2.55V @ 30A. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 11:43

Documentación técnica (PDF)
DSEI30-12A
33 parámetros
Vivienda
TO-247
Vivienda (norma JEDEC)
TO-247AD
Corriente directa [A]
26A
Corriente directa (AV)
28A
IFSM
200A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AD
VRRM
1200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Cantidad por caja
1
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente de fuga al cerrar Ir [A]
0.75mA..7mA
Diodo Trr (Mín.)
40 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Familia de componentes
Diodo rectificador rápido (tr<500ns)
Función
Recuperación rápida
Ifsm [A]
210A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
138W
RoHS
Spec info
375Ap t=10ms, TVJ=150°C
Tecnología
Diodo epitaxial
Temperatura de funcionamiento
-40...+150°C
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]
1.2 kV
Tensión directa Vf (mín.)
2.2V
Tensión umbral Vf (máx)
2.55V
Unidad de acondicionamiento
30
Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]
60 ns
[V]
2.55V @ 30A
Producto original del fabricante
IXYS