DSEI60-12A, 52A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

DSEI60-12A, 52A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
8.87€
5-14
8.20€
15-29
7.68€
30-59
7.21€
60+
6.39€
Cantidad en inventario: 40

DSEI60-12A, 52A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. Corriente directa (AV): 52A. IFSM: 500A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Recuperación rápida. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 189W. RoHS: sí. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Tecnología: Diodo epitaxial. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 2V. Tensión umbral Vf (máx): 2.55V. Unidad de acondicionamiento: 30. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 11:43

Documentación técnica (PDF)
DSEI60-12A
22 parámetros
Corriente directa (AV)
52A
IFSM
500A
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AD
VRRM
1200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Cantidad por caja
1
Diodo Trr (Mín.)
40 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
Recuperación rápida
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
189W
RoHS
Spec info
450Ap t=10ms, TVJ=150°C
Tecnología
Diodo epitaxial
Temperatura de funcionamiento
-40...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
2V
Tensión umbral Vf (máx)
2.55V
Unidad de acondicionamiento
30
Producto original del fabricante
IXYS