DSEP12-12A, 15A, 90A, TO-220, TO-220AC, 1200V

DSEP12-12A, 15A, 90A, TO-220, TO-220AC, 1200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.26€
5-9
2.94€
10-24
2.69€
25-49
2.48€
50+
2.19€
Cantidad en inventario: 63

DSEP12-12A, 15A, 90A, TO-220, TO-220AC, 1200V. Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 90A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Diodo recuperación suave. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 95W. Resonancia magnética (máx.): 0.5mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. RoHS: sí. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C. Tecnología: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.79V. Tensión umbral Vf (máx): 2.75V. Unidad de acondicionamiento: 50. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 11:43

Documentación técnica (PDF)
DSEP12-12A
24 parámetros
Corriente directa (AV)
15A
IFSM
90A
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AC
VRRM
1200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Cantidad por caja
1
Diodo Trr (Mín.)
40 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
Diodo recuperación suave
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
95W
Resonancia magnética (máx.)
0.5mA
Resonancia magnética (mín.)
100uA
RoHS
Spec info
90Ap t=10ms, TVJ=45°C
Tecnología
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión directa Vf (mín.)
1.79V
Tensión umbral Vf (máx)
2.75V
Unidad de acondicionamiento
50
Producto original del fabricante
IXYS