DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
8.92€
5-9
8.26€
10-24
7.46€
25+
6.75€
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Cantidad en inventario: 35

DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AD. Corriente directa [A]: 30A. Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 200A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 250uA..1mA. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Familia de componentes: Diodo rectificador rápido (tr<500ns). Función: Diodo recuperación suave. Ifsm [A]: 200A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 165W. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 250uA. RoHS: sí. Spec info: 200Ap t=10ms, TVJ=45°C. Tecnología: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1.2 kV. Tensión directa Vf (mín.): 1.78V. Tensión umbral Vf (máx): 2.74V. Unidad de acondicionamiento: 30. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 40 ns. [V]: 2.74V @ 30A. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:03

Documentación técnica (PDF)
DSEP30-12A
35 parámetros
Vivienda
TO-247
Vivienda (norma JEDEC)
TO-247AD
Corriente directa [A]
30A
Corriente directa (AV)
30A
IFSM
200A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AD
VRRM
1200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Cantidad por caja
1
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente de fuga al cerrar Ir [A]
250uA..1mA
Diodo Trr (Mín.)
40 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Familia de componentes
Diodo rectificador rápido (tr<500ns)
Función
Diodo recuperación suave
Ifsm [A]
200A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
165W
Resonancia magnética (máx.)
1mA
Resonancia magnética (mín.)
250uA
RoHS
Spec info
200Ap t=10ms, TVJ=45°C
Tecnología
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]
1.2 kV
Tensión directa Vf (mín.)
1.78V
Tensión umbral Vf (máx)
2.74V
Unidad de acondicionamiento
30
Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]
40 ns
[V]
2.74V @ 30A
Producto original del fabricante
IXYS