DSEP60-12A, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

DSEP60-12A, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
12.41€
5-9
11.26€
10-14
13.55€
15-29
10.42€
30-59
9.09€
60+
8.11€
Cantidad en inventario: 27

DSEP60-12A, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. Corriente directa (AV): 70A. IFSM: 500A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Diodo recuperación suave. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Resonancia magnética (máx.): 2.5mA. Resonancia magnética (mín.): 650uA. RoHS: sí. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C. Tecnología: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.74V. Tensión umbral Vf (máx): 2.66V. Unidad de acondicionamiento: 30. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:03

Documentación técnica (PDF)
DSEP60-12A
24 parámetros
Corriente directa (AV)
70A
IFSM
500A
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AD
VRRM
1200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Cantidad por caja
1
Diodo Trr (Mín.)
40 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
Diodo recuperación suave
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
190W
Resonancia magnética (máx.)
2.5mA
Resonancia magnética (mín.)
650uA
RoHS
Spec info
500Ap t=10ms, TVJ=45°C
Tecnología
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión directa Vf (mín.)
1.74V
Tensión umbral Vf (máx)
2.66V
Unidad de acondicionamiento
30
Producto original del fabricante
IXYS