ER2J, DO-214, 2A, 50A, 600V, 2A, SMB / DO214AA

ER2J, DO-214, 2A, 50A, 600V, 2A, SMB / DO214AA

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.23€
5-49
0.19€
50-99
0.17€
100-199
0.16€
200+
0.13€
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ER2J, DO-214, 2A, 50A, 600V, 2A, SMB / DO214AA. Vivienda: DO-214. Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. VRRM: 600V. Corriente rectificada promedio por diodo: 2A. Vivienda (según ficha técnica): SMB / DO214AA. Cj: 15pF. Configuración de diodo: independiente. Corriente de fuga inversa: 5uA / 600V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Información: -. MSL: -. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Serie: ER2. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V. Tensión umbral Vf (máx): -. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 75ns. Tipo de diodo: Switching. Tipo de montaje: SMD. Tr: 75 ns. Voltaje directo (máx.): <1.7V / 1A. Producto original del fabricante: Diotec Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 01:27

Documentación técnica (PDF)
ER2J
25 parámetros
Vivienda
DO-214
Corriente directa (AV)
2A
IFSM
50A
VRRM
600V
Corriente rectificada promedio por diodo
2A
Vivienda (según ficha técnica)
SMB / DO214AA
Cj
15pF
Configuración de diodo
independiente
Corriente de fuga inversa
5uA / 600V
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Resonancia magnética (máx.)
300uA
Resonancia magnética (mín.)
5uA
RoHS
Serie
ER2
Temperatura de funcionamiento
-50...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
1.7V
Tiempo de recuperación inversa (máx.)
75ns
Tipo de diodo
Switching
Tipo de montaje
SMD
Tr
75 ns
Voltaje directo (máx.)
<1.7V / 1A
Producto original del fabricante
Diotec Semiconductor