ER3J, 3A, 100A, DO-214, SMC / DO214AB, 600V

ER3J, 3A, 100A, DO-214, SMC / DO214AB, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-24
0.40€
25-49
0.34€
50-99
0.30€
100-199
0.28€
200+
0.25€
Cantidad en inventario: 101

ER3J, 3A, 100A, DO-214, SMC / DO214AB, 600V. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Cj: 20pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V. Tensión umbral Vf (máx): -. Tr: 75 ns. Producto original del fabricante: Diotec Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 01:27

Documentación técnica (PDF)
ER3J
17 parámetros
Corriente directa (AV)
3A
IFSM
100A
Vivienda
DO-214
Vivienda (según ficha técnica)
SMC / DO214AB
VRRM
600V
Cj
20pF
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Resonancia magnética (máx.)
300uA
Resonancia magnética (mín.)
5uA
RoHS
Temperatura de funcionamiento
-50...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
1.7V
Tr
75 ns
Producto original del fabricante
Diotec Semiconductor