F12C20C, 6A, 100A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 200V

F12C20C, 6A, 100A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.41€
5-24
1.19€
25-49
1.04€
50-99
0.95€
100+
0.81€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 126

F12C20C, 6A, 100A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 200V. Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Cantidad por caja: 2. Cj: 55pF. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Estructura dieléctrica: cátodo común. Función: Diodo dual de recuperación rápida. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: cátodo común. Número de terminales: 3. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Producto original del fabricante: Mospec Semiconductor Corp. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 01:27

Documentación técnica (PDF)
F12C20C
22 parámetros
Corriente directa (AV)
6A
IFSM
100A
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB ( SOT78 )
VRRM
200V
Cantidad por caja
2
Cj
55pF
Diodo Trr (Mín.)
150 ns
Estructura dieléctrica
cátodo común
Función
Diodo dual de recuperación rápida
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
cátodo común
Número de terminales
3
Resonancia magnética (máx.)
100uA
Resonancia magnética (mín.)
5uA
RoHS
Spec info
Ifsm 100A (t=10ms)
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
1.3V
Tensión umbral Vf (máx)
1.3V
Producto original del fabricante
Mospec Semiconductor Corp.

Productos y/o accesorios equivalentes para F12C20C