FR2J, 2A, 50A, DO-214, SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ), 600V

FR2J, 2A, 50A, DO-214, SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ), 600V

Cantidad
Precio unitario
5-49
0.11€
50-99
0.0932€
100-199
0.0843€
200+
0.0714€
Cantidad en inventario: 791
Mín.: 5

FR2J, 2A, 50A, DO-214, SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ), 600V. Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Producto original del fabricante: Semikron. Cantidad mínima: 5. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 14:35

Documentación técnica (PDF)
FR2J
21 parámetros
Corriente directa (AV)
2A
IFSM
50A
Vivienda
DO-214
Vivienda (según ficha técnica)
SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 )
VRRM
600V
Cantidad por caja
1
Diodo Trr (Mín.)
250 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
diodo rectificador rápido de silicio
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Resonancia magnética (máx.)
200uA
Resonancia magnética (mín.)
5uA
RoHS
Spec info
IFSM--50Ap t=10mS
Temperatura de funcionamiento
-50...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
1.3V
Tensión umbral Vf (máx)
1.3V
Producto original del fabricante
Semikron
Cantidad mínima
5