GBI10J, 10A, 600V. Corriente directa (AV): 10A. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 4. Equivalentes: KBJ10J. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. IFSM: 160A. Marcado en la caja: +~~-. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Paso: 10x7.5x7.5mm. Resonancia magnética (máx.): 5uA. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Vivienda (según ficha técnica): 30x20x3.6mm. Vivienda: SIP / SIL. Producto original del fabricante: Diodes Inc. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 17:59