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| Out of stock | |
| Replacement | |
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| 12 in stock | |
| x2 |
HER103, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V
Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0812€
50-99
0.0686€
100+
0.0620€
| Equivalencia disponible | |
| Cantidad en inventario: 39 |
HER103, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Equivalentes: HER103G. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: diodo rectificador de alta eficiencia. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Producto original del fabricante: Taiwan Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 14:35
HER103
20 parámetros
Corriente directa (AV)
1A
IFSM
30A
Vivienda
DO-41
Vivienda (según ficha técnica)
DO-41
VRRM
200V
Cj
25pF
Diodo Trr (Mín.)
50 ns
Equivalentes
HER103G
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
diodo rectificador de alta eficiencia
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
Resonancia magnética (máx.)
100uA
Resonancia magnética (mín.)
5uA
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
1V
Tensión umbral Vf (máx)
1V
Producto original del fabricante
Taiwan Semiconductor
Cantidad mínima
10