HER308, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V

HER308, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.27€
5-24
0.22€
25-49
0.20€
50-99
0.18€
100+
0.14€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 381

HER308, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 125A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Cj: 80pF. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: diodo rectificador de alta eficiencia. Número de terminales: 2. Peso: 1.1g. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Producto original del fabricante: Taiwan Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 01:27

Documentación técnica (PDF)
HER308
22 parámetros
Corriente directa (AV)
3A
IFSM
125A
Vivienda
DO-201
Vivienda (según ficha técnica)
DO-201AD ( 9.0x5.3mm )
VRRM
1000V
Cantidad por caja
1
Cj
80pF
Diodo Trr (Mín.)
75 ns
Función
Conmutación de alta velocidad
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
diodo rectificador de alta eficiencia
Número de terminales
2
Peso
1.1g
Resonancia magnética (máx.)
200uA
Resonancia magnética (mín.)
10uA
RoHS
Spec info
Ifsm 125Ap T=8.3ms
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
1V
Tensión umbral Vf (máx)
1V
Producto original del fabricante
Taiwan Semiconductor

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