Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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HFA50PA60CPBF

HFA50PA60CPBF
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1 - 1 10.34€ 12.51€
2 - 2 9.82€ 11.88€
3 - 4 9.61€ 11.63€
5 - 9 9.30€ 11.25€
10 - 19 9.10€ 11.01€
20 - 29 8.79€ 10.64€
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Cantidad U.P
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Conjunto de 1

HFA50PA60CPBF. RoHS: sí. Familia de componentes: diodo rectificador rápido dual (tr<500ns). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 2x25A. Ifsm [A]: 225A. Tensión directa Vfmax (V): 1.7V @ 25A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 600V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 2uA..2mA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 75 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Producto original del fabricante International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 29/07/2025, 08:25.

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DSEK60-06A

DSEK60-06A

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247A...
DSEK60-06A
Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Doble: sí. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 50uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial (FRED) . Tensión umbral Vf (máx): 1.6V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V
DSEK60-06A
Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Doble: sí. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 50uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial (FRED) . Tensión umbral Vf (máx): 1.6V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V
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15.34€ IVA incl.
(12.68€ sin IVA)
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