Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 6A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 125A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Paso: 10.8x10.8mm. RoHS: sí. Paso: 15.2x15.2mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4. Spec info: Ifsm 125A (t=8.2ms)
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VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 6A. Cj: 186pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador, puente rectificador de diodos. Trifásico: 0. IFSM: 125A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 10.8x10.8mm. RoHS: sí. Paso: 15.2x15.2mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: Ifsm 125Ap (t=8.3ms)
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VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 6A. Cj: 186pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador, puente rectificador de diodos. Trifásico: 0. IFSM: 125A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 10.8x10.8mm. RoHS: sí. Paso: 15.2x15.2mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: Ifsm 125Ap (t=8.3ms)
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