MB10F, 0.5A, 1000V. Corriente directa (AV): 0.5A. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 4. Dimensiones: 4.8x3.8x1.4mm. Equivalentes: MB10S. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. IFSM: 25A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Paso: 2.5mm. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Spec info: espesor máximo 1,6 mm. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Vivienda (según ficha técnica): MBF. Producto original del fabricante: Lge Technology. Cantidad mínima: 5. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 20:33