MBR10200CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 200V. Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Material semiconductor: Sb. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Resonancia magnética (máx.): 0.2mA. Resonancia magnética (mín.): 0.2mA. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 0.87V. Tensión umbral Vf (máx): 0.99V. Producto original del fabricante: Taiwan Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:43