Módulo IGBT SKM40GD123D

Módulo IGBT SKM40GD123D. Módulo IGBT. C(pulg): 1600pF. Costo): 260pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Función: 3 CH. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Número de terminales: 17. Dimensiones: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sí. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Peso: 170g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 400 ns. Td(encendido): 70 ns. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Producto original del fabricante Semikron. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 04:25.