Módulo IGBT SKM40GD123D

Módulo IGBT SKM40GD123D

Cantidad
Precio unitario
1-1
267.93€
2-3
257.40€
4-5
247.72€
6+
240.50€
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Módulo IGBT SKM40GD123D. C(pulg): 1600pF. Corriente del colector: 40A. Costo): 260pF. Dimensiones: 106.4x61.4x30.5mm. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: no. Función: 3 CH. Ic (pulso): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 17. Peso: 170g. RoHS: sí. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Td(apagado): 400 ns. Td(encendido): 70 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Vivienda (según ficha técnica): otro. Vivienda: otro. Producto original del fabricante: Semikron. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 10:40

Documentación técnica (PDF)
SKM40GD123D
27 parámetros
C(pulg)
1600pF
Corriente del colector
40A
Costo)
260pF
Dimensiones
106.4x61.4x30.5mm
Diodo CE
Diodo de germanio
no
Función
3 CH
Ic (pulso)
100A
Ic(T=100°C)
30A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
17
Peso
170g
RoHS
Spec info
IFSM--350Ap (t=10ms)
Td(apagado)
400 ns
Td(encendido)
70 ns
Temperatura de funcionamiento
-40...+125°C
Tensión colector/emisor Vceo
1200V
Tensión de saturación VCE(sat)
2.5V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
3V
Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.
4.5V
Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.
6.5V
Tensión puerta/emisor VGE
20V
Tipo de canal
N
Vivienda (según ficha técnica)
otro
Vivienda
otro
Producto original del fabricante
Semikron