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Módulos IGBT

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IGCM04G60HAXKMA1

IGCM04G60HAXKMA1

Módulo IGBT. Tipo de canal: N. Función: 6 x IGBT For Power Management. Corriente del colector: 4A....
IGCM04G60HAXKMA1
Módulo IGBT. Tipo de canal: N. Función: 6 x IGBT For Power Management. Corriente del colector: 4A. Ic (pulso): 8A. Nota: controlador de motor de CA trifásico. Frecuencia: 20kHz. Número de terminales: 24. Pd (disipación de potencia, máx.): 21.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 685 ns. Td(encendido): 605 ns. Tecnología: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Temperatura de funcionamiento: -40...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Spec info: IC=4A TC=25°C, IC=2.5A TC=100°C. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS
IGCM04G60HAXKMA1
Módulo IGBT. Tipo de canal: N. Función: 6 x IGBT For Power Management. Corriente del colector: 4A. Ic (pulso): 8A. Nota: controlador de motor de CA trifásico. Frecuencia: 20kHz. Número de terminales: 24. Pd (disipación de potencia, máx.): 21.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 685 ns. Td(encendido): 605 ns. Tecnología: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Temperatura de funcionamiento: -40...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Spec info: IC=4A TC=25°C, IC=2.5A TC=100°C. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS
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SKM40GD123D

SKM40GD123D

Módulo IGBT. C(pulg): 1600pF. Costo): 260pF. Tipo de canal: N. Función: 3 CH. Corriente del colect...
SKM40GD123D
Módulo IGBT. C(pulg): 1600pF. Costo): 260pF. Tipo de canal: N. Función: 3 CH. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Número de terminales: 17. Dimensiones: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sí. Peso: 170g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 400 ns. Td(encendido): 70 ns. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS
SKM40GD123D
Módulo IGBT. C(pulg): 1600pF. Costo): 260pF. Tipo de canal: N. Función: 3 CH. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Número de terminales: 17. Dimensiones: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sí. Peso: 170g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 400 ns. Td(encendido): 70 ns. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS
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