MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V

MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.55€
5-24
0.45€
25-49
0.40€
50-99
0.36€
100+
0.32€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 123

MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 35A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Acondicionamiento: -. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Equivalentes: MUR1100ERLG. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. Tensión umbral Vf (máx): 1.75V. Unidad de acondicionamiento: 1000. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 14:35

Documentación técnica (PDF)
MUR1100E
20 parámetros
Corriente directa (AV)
1A
IFSM
35A
Vivienda
DO-41
Vivienda (según ficha técnica)
DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm )
VRRM
1000V
Cantidad por caja
1
Diodo Trr (Mín.)
75 ns
Equivalentes
MUR1100ERLG
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
Ultrafast “E” Series with High Reverse
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
RoHS
sí
Spec info
IFSM
Temperatura de funcionamiento
-65...+175°C
Tensión directa Vf (mín.)
1.5V
Tensión umbral Vf (máx)
1.75V
Unidad de acondicionamiento
1000
Producto original del fabricante
ON Semiconductor

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