Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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MUR15120L

MUR15120L
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5 - 9 2.81€ 3.40€
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MUR15120L. Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 110A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.4V. Tensión directa Vf (mín.): 1.9V. Número de terminales: 2. Función: Diodo de recuperación ultrarrápida. Nota: diodo ultrarrápido. Spec info: Ifsm 110Ap. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 17:25.

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Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 200A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 65 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Hyperfast Diode. Nota: Diodo hiperrápido. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 3.2V. Tensión directa Vf (mín.): 2.6V. Spec info: Ifsm--200Ap
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Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 200A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 65 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Hyperfast Diode. Nota: Diodo hiperrápido. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 3.2V. Tensión directa Vf (mín.): 2.6V. Spec info: Ifsm--200Ap
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