P1000M
| Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.89€ | 1.08€ |
| 5 - 9 | 0.85€ | 1.03€ |
| 10 - 24 | 0.69€ | 0.83€ |
| 25 - 49 | 0.65€ | 0.79€ |
| 50 - 99 | 0.56€ | 0.68€ |
| 100 - 249 | 0.55€ | 0.67€ |
| 250 - 844 | 0.48€ | 0.58€ |
| Cantidad | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.89€ | 1.08€ |
| 5 - 9 | 0.85€ | 1.03€ |
| 10 - 24 | 0.69€ | 0.83€ |
| 25 - 49 | 0.65€ | 0.79€ |
| 50 - 99 | 0.56€ | 0.68€ |
| 100 - 249 | 0.55€ | 0.67€ |
| 250 - 844 | 0.48€ | 0.58€ |
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P1000M. Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: P1000M. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.
Productos equivalentes :
10A10
Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8.9x...
Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 28.7k Ohms. Equivalentes: P1000M, 10A07-TP. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms
Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 28.7k Ohms. Equivalentes: P1000M, 10A07-TP. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms
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