P1000M, R-6, 10A, 10A, 400A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. Vivienda: R-6. Corriente directa (AV): 10A. Corriente rectificada promedio por diodo: 10A. IFSM: 400A. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Acondicionamiento: Ammo Pack. Cantidad por caja: 1. Cj: 70pF. Configuración de diodo: independiente. Corriente de conducción: 80A. Corriente de fuga inversa: 25uA / 1000V. Corriente de fuga: 10uA. Corriente de pulso Máx.: 400A. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Estructura semiconductora: diodo. Información: -. MSL: -. Marcado en la caja: P1000M. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): -. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Serie: P1000. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión umbral: 1.05V. Tiempo de reacción: 1.5us. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns. Tipo de diodo: diodo rectificador. Tipo de montaje: THT. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 1.05V. Voltaje directo (máx.): <0.9V / 5A. Voltaje inverso máximo: 1kV. Producto original del fabricante: Diotec Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:27