P600M, R-6, 6A, 6A, 400A, 6A, R-6 ( 9.1x9.1mm ), 1000V. Vivienda: R-6. Vivienda (norma JEDEC): -. Corriente directa (AV): 6A. Corriente rectificada promedio por diodo: 6A. IFSM: 400A. Corriente directa [A]: 6A. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 9.1x9.1mm ). VRRM: 1000V. Acondicionamiento: Ammo Pack. Cantidad por caja: 1. Cj: 150pF. Configuración de diodo: independiente. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de conducción: 6A. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 10uA. Corriente de fuga inversa: 25uA / 1000V. Corriente de pulso Máx.: 300A. Diodo Trr (Mín.): 2500 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Estructura semiconductora: diodo. Familia de componentes: Diodo rectificador estándar. Ifsm [A]: 450A. Información: -. MSL: -. Marcado en la caja: 6A10. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Serie: P600. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión umbral: 1.1V, 900mV. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns. Tipo de diodo: diodo rectificador. Tipo de montaje: THT. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: -. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 1.1V. Voltaje directo (máx.): <1.0V / 5A. Voltaje inverso máximo: 1kV, 1000V. [V]: 1V @ 5A. Producto original del fabricante: Lge Technology. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:27