RGP10J, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 600V

RGP10J, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 600V

Cantidad
Precio unitario
1-9
0.26€
10-49
0.19€
50-99
0.17€
100+
0.15€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 737

RGP10J, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 600V. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Cj: 15pF. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Diodo rectificador de conmutación rápida. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: GI, S. Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Producto original del fabricante: General Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 22:14

Documentación técnica (PDF)
RGP10J
22 parámetros
Corriente directa (AV)
1A
IFSM
30A
Vivienda
DO-204
Vivienda (según ficha técnica)
DO-204AL ( 2.7x5.2mm )
VRRM
600V
Cantidad por caja
1
Cj
15pF
Diodo Trr (Mín.)
250 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
Diodo rectificador de conmutación rápida
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
GI, S
Número de terminales
2
Resonancia magnética (máx.)
200uA
Resonancia magnética (mín.)
5uA
RoHS
Spec info
IFSM--30Ap t=8.3mS
Temperatura de funcionamiento
-65...+175°C
Tensión directa Vf (mín.)
1.3V
Tensión umbral Vf (máx)
1.3V
Producto original del fabricante
General Semiconductor

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