S1M, DO-214, DO-214AC, 1000V, 1A, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC. Vivienda: DO-214. Vivienda (norma JEDEC): DO-214AC. VRRM: 1000V. Corriente rectificada promedio por diodo: 1A. Corriente directa (AV): 1A. Corriente directa [A]: 1A. IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC. Cantidad por caja: 1. Cj: 12pF. Configuración de diodo: independiente. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente de conducción: 6A. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA..50uA. Corriente de fuga inversa: <50uA / 1000V. Corriente de fuga: 5uA. Corriente de pulso Máx.: 30A. Diodo Trr (Mín.): 1.8us. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Estructura semiconductora: diodo. Familia de componentes: Diodo rectificador de superficie (SMD). Función: diodos rectificadores de uso general. Ifsm [A]: 32A. Información: -. MSL: -. Marcado en la caja: 1M. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: carcasa 4,6x2,7 mm. Número de terminales: 2. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Serie: S1. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Temperatura de funcionamiento: -55...+155°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tiempo de reacción: 1.5us. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns. Tipo de diodo: diodo rectificador. Tipo de montaje: SMD. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: -. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 1.1V. Voltaje directo (máx.): <1.1V / 1A. Voltaje inverso máximo: 1kV. [V]: 1.1V @ 1A. Producto original del fabricante: Taiwan Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 22:14