Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V, -100V, -6A - TIP42C

Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V, -100V, -6A - TIP42C
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 0.77€ 0.93€
5 - 9 0.73€ 0.88€
10 - 24 0.71€ 0.86€
25 - 49 0.69€ 0.83€
50 - 99 0.68€ 0.82€
100 - 249 0.66€ 0.80€
250 - 439 0.61€ 0.74€
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Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V, -100V, -6A - TIP42C. Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V, -100V, -6A. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 6A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: -6A. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP41C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 65W. Producto original del fabricante Egyéb gyártó. Cantidad en stock actualizada el 25/07/2025, 05:25.

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BD244C

BD244C

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BD244C
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD244C. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 15. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Spec info: transistor complementario (par) BD243C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V
BD244C
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD244C. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 15. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Spec info: transistor complementario (par) BD243C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V
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BD244CG

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Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 6A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD243C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V. Resistencia B: Potencia. Resistencia BE: TO220. C(pulg): 65W. Costo): -100V
BD244CG
Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 6A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD243C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V. Resistencia B: Potencia. Resistencia BE: TO220. C(pulg): 65W. Costo): -100V
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