Transistor de canal N 0505-001247, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. DI (T=100°C): 1.4A. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 2.7A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 200V. Cantidad por caja: 1. Función: MOS-N-FET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Samsung. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11