FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. DI (T=100°C): 1.4A. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 2.7A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: MOS-N-FET. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Transistor de canal N, 20mA, TO-92, TO-92. DI (T=25°C): 20mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: amplificador VHF/RF. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (máx.): 9mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 4.5pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: Uni sym. IDss (mín.): 2mA. IGF: 10mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor JFET de uso general. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 3.5V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 7V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (máx.): 16mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 2250pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 53 ns. Tipo de transistor: FET. Función: Uni sym. IDss (mín.): 4mA. IGF: 10mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 4mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor JFET de uso general. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 4.5V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 5mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (máx.): 5mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 5pF. Costo): 2pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. IDss (mín.): 1mA. IGF: 10mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: J-FET. Vgs(th) mín.: 3V. Función: VHF/UHF, amplificador de RF

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-46, 20V, 10mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-46. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 20V. Corriente de drenaje Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N6550. Voltaje del punto de interrupción de la fuente de puerta Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W. Familia de componentes: Transistor JFET de canal N. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +125°C

Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): O-92Ammo-Pack. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 60pF. Costo): 25pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 0.5A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 2n7000. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Peso: 0.18g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 10 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 60pF. Costo): 25pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 0.5A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 2n7000. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Peso: 0.18g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 10 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. DI (T=100°C): 0.075A. DI (T=25°C): 0.115A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.5 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. RoHS: sí. C(pulg): 50pF. Costo): 25pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de pequeña señal. Identificación (diablillo): 0.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 702. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: 702. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.210A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: K72. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 2.8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 7.6 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 50pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.37W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V. DI (T=100°C): 0.14A. DI (T=25°C): 0.23A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.2 Ohms. Vivienda: SOT-363 ( SC-88 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 22pF. Costo): 11pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 2. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 0.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: K72. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 400mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 11 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: MOSFET en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Función: Control de motores, gestión de energía. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.115A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 72. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 50pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220D-A1. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. C(pulg): 580pF. Costo): 86pF. Tipo de canal: N. Función: Controlador de pantalla de plasma. Corriente del colector: 30A. Ic (pulso): 60.4k Ohms. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 87 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.5V. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220D-A1. Tensión colector/emisor Vceo: 540V. C(pulg): 1200pF. Costo): 125pF. Tipo de canal: N. Función: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 230A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 75 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.95V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.5V. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 20mA, 2.5mA, 2.5mA, TO-92, TO-92, 30 v. DI (T=25°C): 20mA. Idss: 2.5mA. Idss (máx.): 2.5mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. IDss (mín.): 2.5mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Función: amplificación de alta frecuencia

Transistor de canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 300uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.95 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1400pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 24A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 8.5 ns. Td(encendido): 4 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 300uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.95 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1400pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 24A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 85 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 1000V, 8A, 300uA, 1.5 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Voltaje Vds(máx.): 1000V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 300uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: Silicon N Channel Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 3.5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. C(pulg): 1300pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 24A. Marcado en la caja: K1120. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Spec info: Aplicación de convertidor CC-CC y accionamiento de motor. Peso: 4.6g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2800pF. Costo): 780pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 80A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 32 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 30A, 30A, 0.08 Ohms, 60V. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 30A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.08 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W

Transistor de canal N, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 300uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.95 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1400pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 24A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 85 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: V-MOS-L. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF, 900V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Voltaje Vds(máx.): 900V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C(pulg): 1400pF. Costo): 200pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Low Driving Power High Speed Switching. Identificación (diablillo): 23A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 300 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220, 500V, 5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: K1246. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.4 Ohms @ 2.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 100 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 180 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 650pF. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4 Ohms. Vivienda: TO-3PN 13-16A1A. Voltaje Vds(máx.): 1400V. C(pulg): 1800pF. Costo): 500pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alto voltaje. Identificación (diablillo): 10A. Pd (disipación de potencia, máx.): 240W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 3.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1.5V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 15A, 30A, 30A, 0.028 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 30A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.028 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS. Spec info: compatible con nivel lógico