Transistor de canal N 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 300uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.95 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1400pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 250pF. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 24A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Td(apagado): 85 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: V-MOS-L. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1.5V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 01:03