transistor de canal N 2N7000, TO-92, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, O-92Ammo-Pack, 60V

transistor de canal N 2N7000, TO-92, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, O-92Ammo-Pack, 60V

Cantidad
Precio unitario
5-49
0.11€
50-99
0.0917€
100-299
0.0824€
300+
0.0705€
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Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 567
Mín.: 5

Transistor de canal N 2N7000, TO-92, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, O-92Ammo-Pack, 60V. Vivienda: TO-92. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): O-92Ammo-Pack. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 60pF. Cantidad por caja: 1. Corriente de drenaje: 0.2A. Costo): 25pF. Embalaje: Ammo Pack. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 0.5A. Marcado del fabricante: 2n7000. Marcado en la caja: 2n7000. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Peso: 0.18g. Polaridad: unipolares. Potencia: 0.35W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en el estado: 6 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 10 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Voltaje de fuente de drenaje: 60V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Diotec Semiconductor. Cantidad mínima: 5. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31

Documentación técnica (PDF)
2N7000
37 parámetros
Vivienda
TO-92
DI (T=25°C)
0.2A
Idss (máx.)
1000uA
Resistencia en encendido Rds activado
5 Ohms
Vivienda (según ficha técnica)
O-92Ammo-Pack
Voltaje Vds(máx.)
60V
C(pulg)
60pF
Cantidad por caja
1
Corriente de drenaje
0.2A
Costo)
25pF
Embalaje
Ammo Pack
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
0.5A
Marcado del fabricante
2n7000
Marcado en la caja
2n7000
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.35W
Peso
0.18g
Polaridad
unipolares
Potencia
0.35W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Resistencia en el estado
6 Ohms
RoHS
Td(apagado)
10 ns
Td(encendido)
10 ns
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3V
Vgs(th) mín.
0.8V
Voltaje de fuente de drenaje
60V
Voltaje de fuente de puerta
±20V
Producto original del fabricante
Diotec Semiconductor
Cantidad mínima
5

Productos y/o accesorios equivalentes para 2N7000