Transistor de canal N 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 60pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 25pF. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 0.5A. Marcado en la caja: 2n7000. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Peso: 0.18g. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 10 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Producto original del fabricante: Diotec Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31