Transistor de canal N BS170, TO-92, 60V, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, 60V. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. DI (T=25°C): 0.5A. Idss (máx.): 10nA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 24pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 60pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de drenaje: 500mA. Corriente máxima de drenaje: 0.5A. Costo): 40pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.83W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 0.3A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: transistor MOSFET. IDss (mín.): 0.5uA. Identificación (diablillo): 1.2A. Marcado del fabricante: BS170. Marcado en la caja: BS170. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. Polaridad: unipolares. Potencia: 0.83W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en el estado: 5 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 4 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo, Pequeñas señales. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 4 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2.1V. Voltaje de fuente de drenaje: 60V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31