transistor de canal N 2N7002DW, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V

transistor de canal N 2N7002DW, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.29€
5-49
0.24€
50-99
0.21€
100-199
0.19€
200+
0.16€
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Transistor de canal N 2N7002DW, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V. DI (T=100°C): 0.14A. DI (T=25°C): 0.23A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.2 Ohms. Vivienda: SOT-363 ( SC-88 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 22pF. Cantidad por caja: 2. Costo): 11pF. Función: Control de motores, gestión de energía. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 0.8A. Marcado en la caja: K72. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 400mW. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 11 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: MOSFET en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Diodes Inc. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31

Documentación técnica (PDF)
2N7002DW
28 parámetros
DI (T=100°C)
0.14A
DI (T=25°C)
0.23A
Idss (máx.)
500uA
Resistencia en encendido Rds activado
3.2 Ohms
Vivienda
SOT-363 ( SC-88 )
Voltaje Vds(máx.)
60V
C(pulg)
22pF
Cantidad por caja
2
Costo)
11pF
Función
Control de motores, gestión de energía
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
0.8A
Marcado en la caja
K72
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
6
Pd (disipación de potencia, máx.)
400mW
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
11 ns
Td(encendido)
7 ns
Tecnología
MOSFET en modo de mejora
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Diodes Inc.