transistor de canal N 2N7002-7-F, SOT-23, 60V

transistor de canal N 2N7002-7-F, SOT-23, 60V

Cantidad
Precio unitario
5-99
0.14€
100-499
0.11€
500-2999
0.0794€
3000+
0.0571€
Cantidad en inventario: 3558
Mín.: 5

Transistor de canal N 2N7002-7-F, SOT-23, 60V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 50pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.37W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 0.210A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: K72. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 7.6 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 2.8 ns. Producto original del fabricante: Diodes Zetex. Cantidad mínima: 5. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24

Documentación técnica (PDF)
2N7002-7-F
17 parámetros
Vivienda
SOT-23
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
60V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
50pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
0.37W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
13.5 Ohms @ 0.5A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
0.210A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
K72
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
7.6 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
2.5V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
2.8 ns
Producto original del fabricante
Diodes Zetex
Cantidad mínima
5