Transistor de canal N 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1400pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 200pF. Diodo Trr (Mín.): 1000 ns. Función: Low Driving Power High Speed Switching. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 23A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 300 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Producto original del fabricante: Fuji Electric. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 01:03